2月26日，從中國電科二所獲悉，山西省第一片碳化硅芯片在該所研制成功。
碳化硅具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)點(diǎn)，可有效突破傳統(tǒng)硅基材料的物理極限，廣泛應(yīng)用于新能源汽車及其充電樁、大數(shù)據(jù)中心、軌道牽引、高壓電網(wǎng)、新能源逆變等領(lǐng)域，是我國重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性先進(jìn)半導(dǎo)體，對實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰碳中和具有重要的戰(zhàn)略意義。
2021年9月，中國電科二所接到6英寸碳化硅芯片整線系統(tǒng)集成研發(fā)任務(wù)，該項(xiàng)目要求四個月內(nèi)完成整線設(shè)備評估、選型、采購、安裝、調(diào)試，并流出第一片芯片。為了不耽誤項(xiàng)目進(jìn)度，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)放棄休息，在保證人員及設(shè)備安全的前提下連夜作業(yè)，夜晚卸貨、搬運(yùn)、拆包，白天安裝就位，僅用一個月內(nèi)就完成了設(shè)備移入，創(chuàng)造了電科山西速度。
為按時間節(jié)點(diǎn)完成流片任務(wù)，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)平均每天要工作16個小時，各設(shè)備負(fù)責(zé)人輪流堅(jiān)守崗位。最終在配套設(shè)備到位的30日內(nèi)，完成了單機(jī)設(shè)備調(diào)試、碳化硅SBD整線工藝調(diào)試并成功產(chǎn)出山西省第一片碳化硅芯片，研制速度創(chuàng)造了國內(nèi)第一！
中國電科二所工作人員表示，山西省第一片碳化硅芯片是落實(shí)山西省“十四五”規(guī)劃，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打造成新支柱產(chǎn)業(yè)取得的階段性重大成果，是太原市向半導(dǎo)體領(lǐng)域轉(zhuǎn)型發(fā)展道路上的一個里程碑。接下來，他們將進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)和工藝流程，研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片，提升性能指標(biāo)、提高良品率，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)，以最優(yōu)的狀態(tài)，為全方位推動山西省、太原市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。
